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PBYR3040

器件型号:PBYR3040
厂商名称:Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
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器件描述

Rectifier diodes Schottky barrier

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PBYR3040器件文档内容

Philips Semiconductors                                                                  Product specification

Rectifier diodes                                                             PBYR3045WT series
Schottky barrier

FEATURES                                SYMBOL                            QUICK REFERENCE DATA
                                                                                    VR = 40 V/ 45 V
� Low forward volt drop                      a1            a2                         IO(AV) = 30 A
� Fast switching                                                                      IFSM = 300 A
� Reverse surge capability                   1             3                           VF  0.6 V
� High thermal cycling performance
� Low thermal resistance

                                                    k2

GENERAL DESCRIPTION                     PINNING                           SOT429 (TO247)

Dual, common cathode schottky           PIN         DESCRIPTION                                      1 23
rectifier diodes in a plastic
envelope. Intended for use as           1 anode 1 (a)
output rectifiers in low voltage, high
frequency switched mode power           2 cathode (k)
supplies.
                                        3 anode 2 (a)
The PBYR3045WT series is
supplied in the conventional leaded     tab cathode
SOT429 (TO247) package.

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER                        CONDITIONS                        MIN.         MAX.                    UNIT
                                                                                40WT 45WT
                                                               PBYR30                                            V
                                                                                                                 V
VRRM       Peak repetitive reverse                                        -     40                         45    V
VRWM                                                                                                             A
VR         voltage
IO(AV)                                                                                                           A
           Working peak reverse                                           -     40                         45    A
IFRM                                                                                                             A
IFSM       voltage
                                                                                                                 A
IRRM       Continuous reverse voltage Tmb  107 �C                         -     40                         45   �C
Tj                                                                                                              �C
Tstg       Average rectified output     square wave;  = 0.5; Tmb  124 �C -            30
           current (both diodes

           conducting)

           Repetitive peak forward      square wave;  = 0.5; Tmb  124 �C -            30
           current per diode
                                                                                      300
           Non-repetitive peak forward t = 10 ms                          -           330

           current per diode            t = 8.3 ms                        -

                                        sinusoidal; Tj = 125 �C prior to
                                        surge; with reapplied VRRM(max)
           Peak repetitive reverse      pulse width and repetition rate   -            2
                                                                                      150
           surge current per diode      limited by Tj max                             175

           Operating junction                                             -

           temperature

           Storage temperature                                            - 65

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER                        CONDITIONS                              MIN.  TYP.                 MAX. UNIT

Rth j-mb   Thermal resistance junction  per diode                                 -     -                   1.6 K/W
Rth j-a    to mounting base             both diodes                               -     -                   1.2 K/W
           Thermal resistance junction  in free air                               -    45
           to ambient                                                                                         - K/W

July 1998                                            1                                                         Rev 1.200
Philips Semiconductors                                                                 Product specification

Rectifier diodes                                                          PBYR3045WT series
Schottky barrier

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

characteristics are per diode at Tj = 25 �C unless otherwise specified

SYMBOL PARAMETER                 CONDITIONS                               MIN.  TYP.  MAX. UNIT

VF         Forward voltage per diode IF = 20 A; Tj = 125�C                  -   0.58   0.6 V
                                 IF = 30 A; Tj = 125�C                      -   0.69  0.72 V
                                 IF = 30 A                                  -   0.71  0.76 V
IR         Reverse current per diode VR = VRWM                              -   0.12   1.5 mA
                                 VR = VRWM; Tj = 100�C                      -    15     30 mA
Cd         Junction capacitance  VR = 5 V; f = 1 MHz, Tj = 25�C to 125�C    -   450
                                                                                         - pF

July 1998                                       2                                     Rev 1.200
Philips Semiconductors                                                                                                           Product specification

Rectifier diodes                                                                                                    PBYR3045WT series
Schottky barrier

15 Forward dissipation, PF (W)    PBYR3045WT Ths(max) (C) 126                                          Reverse current, IR (mA)             PBYR3045WT
      Vo = 0.36 V                                             D = 1.0                          100
      Rs = 0.012 Ohms

                                                       0.5                                             125 C
                                                                                               10
10                     0.2                                                          134
                                                                                                         100 C

                  0.1

                                                                                               1 75 C

   5                                                   I       tp         D = tp 142                       50 C
                                                                                               0.1
                                                                          T

                                                                          t                              Tj = 25 C

                                                                   T                150        0.01
                                                                                                      0
   0  0        5          10                           15             20            25

                                                                                                                                 25                     50

                  Average forward current, IF(AV) (A)                                                               Reverse voltage, VR (V)

Fig.1. Maximum forward dissipation PF = f(IF(AV)) per                                          Fig.4. Typical reverse leakage current per diode;
         diode; square current waveform where                                                                   IR = f(VR); parameter Tj
                       IF(AV) =IF(RMS) x D.

    Forward dissipation, PF (W)   PBYR3045WT                       Tmb(max) (C)                          Cd / pF                            PBYR3045CT
12                                                                                   130.8     10000

     Vo = 0.36 V                                                          a = 1.57
     Rs = 0.012 Ohms
10                                                             1.9                  134
                                                       2.2

                                  2.8

8                      4                                                            137.2

6                                                                                   140.4      1000

4                                                                                   143.6

2                                                                                   146.8

0                                                                                   150        100                               10                     100
                                                                                                   1
   0              5                                        10                       15

               Average forward current, IF(AV) (A)                                                                  VR / V

Fig.2. Maximum forward dissipation PF = f(IF(AV)) per                                          Fig.5. Typical junction capacitance per diode;
diode; sinusoidal current waveform where a = form                                                Cd = f(VR); f = 1 MHz; Tj = 25�C to 125 �C.

                     factor = IF(RMS) / IF(AV).

      50 Forward current, IF (A)                                   PBYR3045WT                  10 Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)
               Tj = 25 C
               Tj = 125 C

      40

                                                                                               1

      30                                                                                       0.1
                                       typ
                                                                                                                    PD               tp      D=  tp
      20                                                                                                                                         T
                                                  max

      10

                                                                                                                                         T       t

         0  0  0.2 0.4 0.6 0.8                                 1          1.2 1.4              0.01       10us      100us 1ms 10ms 100ms 1s 10s
                                                                                                     1us                     pulse width, tp (s) PBYR3045WT

                          Forward voltage, VF (V)

Fig.3. Typical and maximum forward characteristic                                              Fig.6. Transient thermal impedance per diode;
                   IF = f(VF); parameter Tj                                                                           Zth j-mb = f(tp).

July 1998                                                                                   3                                                        Rev 1.200
Philips Semiconductors                                                                                        Product specification

Rectifier diodes                                                                                 PBYR3045WT series
Schottky barrier
                                                     16 max                             5.3 max
MECHANICAL DATA                                                                  1.8

Dimensions in mm                                                   5.3   7.3       o 3.5
Net Mass: 5 g                                                                          max

                                                3.5                       seating
                                       21                                  plane
                                     max

                                                                    15.5
                                                                    max

                                                                               2.5

                 4.0
                 max
           15.5

           min                                       12      3

                 2.2 max                                                            0.9 max
                 3.2 max
                                                               1.1        0.4 M
                                                     5.45 5.45

                                                  Fig.7. SOT429 (TO247); pin 2 connected to mounting base.

Notes
1. Refer to mounting instructions for SOT429 envelope.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".

July 1998                                                           4                                       Rev 1.200
Philips Semiconductors                  Product specification

Rectifier diodes           PBYR3045WT series
Schottky barrier

DEFINITIONS

Data sheet status

Objective specification This data sheet contains target or goal specifications for product development.

Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.

Product specification This data sheet contains final product specifications.

Limiting values

Limiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one
or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and
operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of
this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.

Application information

Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.

� Philips Electronics N.V. 1998

All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the
copyright owner.

The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, it is believed to be
accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any
consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent or other
industrial or intellectual property rights.

LIFE SUPPORT APPLICATIONS

These products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where malfunction of these
products can be reasonably expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products
for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting
from such improper use or sale.

July 1998               5  Rev 1.200
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